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SiB412DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
V GS = 5 thr u 2 V
V GS = 1.5 V
5
4
3
8
4
2
1
T J = 25 °C
T J = 125 °C
V GS = 1 V
T J = - 55 °C
0
0
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.075
0.050
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
600
400
C iss
0.025
V GS = 4.5 V
200
C oss
0.000
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
4
1. 8
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V , I D = 6.6 A
V GS = 2.5 V , I D = 5.5 A
V DS = 10 V
1.2
3
V DS = 16 V
0.9
V GS = 1. 8 V , I D = 1. 8 0 A
2
0.6
1
0
0.3
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 70439
S-80515-Rev. C, 10-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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